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Diodes高壓穩壓器電晶體為微控制器提供5V電源 (2015.03.27)
Diodes公司推出新穩壓器ZXTR2105F，該產品整合電晶體、齊納二極體及電阻器單片式，有效在高達60V的輸入情況下提供5V 15mA的輸出。這款穩壓器電晶體採用了小巧的SOT-23封裝，可減少元件數量，以及節省微控制器應用的印刷電路板面積，例如個人電腦和伺服器的直流散熱風扇，以及工業與汽車市場的馬達驅動器、排氣扇和感測器應用 |
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英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技（Infineon）與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型（強化模式）矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置（SMD）封裝 |
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英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技（Infineon）與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型（強化模式）矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置（SMD）封裝 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通導電阻與廣泛封裝範圍 (2015.03.10)
高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻（Rdson）與輸出電容（Coss）。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案，改善效率、成本效益與可靠度，更減少了元件數量，精簡機板空間，為設計人員帶來更大的彈性 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通導電阻與廣泛封裝範圍 (2015.03.10)
高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻（Rdson）與輸出電容（Coss）。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案，改善效率、成本效益與可靠度，更減少了元件數量，精簡機板空間，為設計人員帶來更大的彈性 |
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Diodes微型場效電晶體節省40%空間 (2015.02.13)
Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計，擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體，以及30V額定值的P通道元件，產品全都採用DFN0606微型封裝 |
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Diodes微型場效電晶體節省40%空間 (2015.02.13)
Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計，擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體，以及30V額定值的P通道元件，產品全都採用DFN0606微型封裝 |
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宜普演示板採用氮化鎵場效應電晶體實現音頻高效 (2015.02.06)
宜普電源轉換公司（EPC）推出新款採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load（BTL）設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展 |
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宜普演示板採用氮化鎵場效應電晶體實現音頻高效 (2015.02.06)
宜普電源轉換公司（EPC）推出新款採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load（BTL）設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展 |
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Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能 |
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Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能 |
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宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50% |
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宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50% |
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宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源（EPC）推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度 |
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宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
(圖一)
宜普電源（EPC）推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度 |
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ECS新增三款全新超小型石英晶體振盪器 (2015.01.12)
全球創新設計和製造矽基頻率控制產品的廠商ECS Inc. International新增三款固定頻率石英晶體振盪器產品：超小型ECX-2033-AU、超小型ECX-53B-CKM石英晶體，以及超小型ECX-1247石英晶體 |
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ECS新增三款全新超小型石英晶體振盪器 (2015.01.12)
全球創新設計和製造矽基頻率控制產品的廠商ECS Inc. International新增三款固定頻率石英晶體振盪器產品：超小型ECX-2033-AU、超小型ECX-53B-CKM石英晶體，以及超小型ECX-1247石英晶體 |
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Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6（採用SOT26封裝）和 ZXGD3009DY（採用SOT363封裝）可縮短MOSFET的開關時間，有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率 |
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Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6（採用SOT26封裝）和 ZXGD3009DY（採用SOT363封裝）可縮短MOSFET的開關時間，有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率 |
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宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 (2014.12.09)
為了協助功率系統設計增加效率與功率密度，宜普電源轉換公司（EPC）推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積?少50% |
