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英飛凌推出新型LDMOS射頻功率電晶體 (2008.04.07)
英飛凌科技(Infineon)發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體，適用於無線通訊基礎架構應用領域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦，進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類，現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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英飛凌推出新型LDMOS射頻功率電晶體 (2008.04.07)
英飛凌科技(Infineon)發表兩款新型LDMOS射頻功率電晶體，適用於無線通訊基礎架構應用領域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。這兩款新產品提供之輸出功率峰值可達170瓦，進一步擴大英飛凌為WiMAX領域所提供射頻功率電晶體之產品種類，現有產品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率 |
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Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成，這些器件採用多種技術，可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率 |
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Zetex新型無鉛MOSFET成功把電路面積減一半 (2008.03.11)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%，離板高度只有0.85毫米，適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用，例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置 |
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Zetex新型無鉛MOSFET成功把電路面積減一半 (2008.03.11)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首項採用無鉛式2 x 2毫米DFN封裝的MOSFET產品。這款ZXMN2F34MA元件的PCB面積比業內採用標準SOT23封裝的元件小50%，離板高度只有0.85毫米，適用於各類型空間有限的開關和功率管理應用，例如降壓/升壓負載點轉換器中的外部開關裝置 |
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IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列 (2008.03.07)
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(UPS)及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。
這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率 |
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IR推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列 (2008.03.07)
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極電晶體(IGBT)系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(UPS)及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。
這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率 |
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Digi-Key開始庫存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key與寬頻隙電晶體及射頻積體電路(RFIC)廠商Cree宣佈 ，Cree的碳化矽(SiC)金屬半導體場效電晶體(MESFET)已由Digi-Key庫存，並已可開始出貨。
Digi-Key Corporation是板級元件之電子元件及配件多元經銷商，該公司專注於產品選擇與其對目錄上產品建立100%庫存的承諾，使其能便利地提供各種工業和商業領域等廣泛客戶所需 |
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Digi-Key開始庫存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key與寬頻隙電晶體及射頻積體電路(RFIC)廠商Cree宣佈 ，Cree的碳化矽(SiC)金屬半導體場效電晶體(MESFET)已由Digi-Key庫存，並已可開始出貨。
Digi-Key Corporation是板級元件之電子元件及配件多元經銷商，該公司專注於產品選擇與其對目錄上產品建立100%庫存的承諾，使其能便利地提供各種工業和商業領域等廣泛客戶所需 |
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新型英飛凌MOSFET家族降低功率損耗達30% (2008.02.27)
英飛凌科技(Infineon)在應用電源電子研討會（APEC）上宣佈在OptiMOS 3 N通道MOSFET(場效應電晶體)產品陣容，新增三個新的功率半導體家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在關鍵功率轉換規格如通態電組的指標性能，可降低標準晶體管型封裝(TO)的功率損失達30％ |
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Linear推出具備兩個LDO的25mA/LED輸出驅動器 (2007.09.14)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款整合式白光LED驅動器LTC3230，其具備能驅動主及次LED螢幕的雙組LDO穩壓器，並針對可攜式電子元件提供低壓系統電源端，所有均包含於精小3mm x 3mm QFN封裝中 |
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Linear推出具備兩個LDO的25mA/LED輸出驅動器 (2007.09.14)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款整合式白光LED驅動器LTC3230，其具備能驅動主及次LED螢幕的雙組LDO穩壓器，並針對可攜式電子元件提供低壓系統電源端，所有均包含於精小3mm x 3mm QFN封裝中 |
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安森美推出帶I2C介面的迷你三路輸出LED驅動器 (2007.08.22)
電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出高能效三路輸出LED驅動器—NCP5623，帶有I2C介面，並且內置漸進調光功能。該器件特別設計用於驅動手機和MP3播放器等便攜產品中的三色RGB (紅、綠、藍)LED裝飾光和增強型LCD背光 |
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安森美推出帶I2C介面的迷你三路輸出LED驅動器 (2007.08.22)
電源半導體解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出高能效三路輸出LED驅動器—NCP5623，帶有I2C介面，並且內置漸進調光功能。該器件特別設計用於驅動手機和MP3播放器等便攜產品中的三色RGB (紅、綠、藍)LED裝飾光和增強型LCD背光 |
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Zetex高效能電晶體有效提升電源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP電晶體，滿足新一代電源設備中的MOSFET閘驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP電晶體是第一批採用SOT23FF封裝的雙極元件，佔位面積為2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米 |
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Zetex高效能電晶體有效提升電源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP電晶體，滿足新一代電源設備中的MOSFET閘驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP電晶體是第一批採用SOT23FF封裝的雙極元件，佔位面積為2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米 |
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Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。
額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計 |
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Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。
(圖一)Vishay推出1 |
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AnalogicTech多功能LED驅動器簡化照明電路設計 (2007.08.09)
Advanced Analogic Technologies Incorporated(簡稱AnalogicTech)推出兩款全新高效能電荷泵產品，協助業者設計更小型、更多功能的手機。AAT2846及AAT2856將背光驅動器、高電流閃光驅動器及2個通用低壓差(LDO)線性穩壓器整合於單一4x4 mm封裝中 |
總的來說，一系列與時俱進的Bus規格標準，便是不斷提升在電腦主機與周邊設備之間，資料傳輸速度、容量與品質的應用過程。下面我們就簡介幾個重要的匯流排應用規格標準。
