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AnalogicTech多功能LED驅動器簡化照明電路設計 (2007.08.09)
Advanced Analogic Technologies Incorporated(簡稱AnalogicTech)推出兩款全新高效能電荷泵產品，協助業者設計更小型、更多功能的手機。AAT2846及AAT2856將背光驅動器、高電流閃光驅動器及2個通用低壓差(LDO)線性穩壓器整合於單一4x4 mm封裝中 |
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Linear250mA萬用手機LED驅動器能驅動9顆LED (2007.08.09)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款針對手機螢幕顯示及照明之無電感、低雜訊、高效率LED驅動器LTC3219。此IC針對主、次及RGB螢幕提供9組個別的可配置電流源，螢幕之電流則可透過精準的內部電流參考設定 |
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Linear250mA萬用手機LED驅動器能驅動9顆LED (2007.08.09)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)發表一款針對手機螢幕顯示及照明之無電感、低雜訊、高效率LED驅動器LTC3219。此IC針對主、次及RGB螢幕提供9組個別的可配置電流源，螢幕之電流則可透過精準的內部電流參考設定 |
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安森美推出雙載子接面電晶體系列新封裝 (2007.07.11)
安森美半導體（ON Semiconductor）擴充低Vce(sat)雙載子接面電晶體(BJT)產品系列，推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品。這兩種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET比較，不僅實現了能效的最大化，而且還可延長電池的使用時間 |
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安森美推出雙載子接面電晶體系列新封裝 (2007.07.11)
安森美半導體（ON Semiconductor）擴充低Vce(sat)雙載子接面電晶體(BJT)產品系列，推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品。這兩種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET比較，不僅實現了能效的最大化，而且還可延長電池的使用時間 |
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瑞薩研發最新低成本製造技術提升電晶體效能 (2007.06.21)
瑞薩科技宣佈開發適用於45 nm（奈米）及後續製程世代微處理器及SoC（系統單晶片）之低成本且可達成極高效能電晶體之製造技術。此新技術利用瑞薩科技獨家開發且於2006年12月發表之混合架構，提升CMIS電晶體之效能 |
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瑞薩研發最新低成本製造技術提升電晶體效能 (2007.06.21)
瑞薩科技宣佈開發適用於45 nm（奈米）及後續製程世代微處理器及SoC（系統單晶片）之低成本且可達成極高效能電晶體之製造技術。此新技術利用瑞薩科技獨家開發且於2006年12月發表之混合架構，提升CMIS電晶體之效能 |
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RFMD發表48V高功率氮化鎵電晶體 (2007.06.15)
針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices,Inc.，近日發表RF393X家族的48V氮化鎵（GaN）功率電晶體。RF393X產品系列可提供從10W到120W的功率效能，並具備非常寬廣的可調諧頻寬－展現RFMD GaN技術相對於競爭GaAs及矽晶LDMOS技術之高功率與頻寛之優質結合 |
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RFMD發表48V高功率氮化鎵電晶體 (2007.06.15)
針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices,Inc.，近日發表RF393X家族的48V氮化鎵（GaN）功率電晶體。RF393X產品系列可提供從10W到120W的功率效能，並具備非常寬廣的可調諧頻寬－展現RFMD GaN技術相對於競爭GaAs及矽晶LDMOS技術之高功率與頻寛之優質結合 |
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NXP推出首款真正300W超高頻電晶體 (2007.06.04)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導體）推出全球首款真正300W超高頻（UHF）電晶體，即第六代高電壓LDMOS電晶體BLF878。此款新的高功率電晶體針對電視發射器及廣播市場所設計，是市場上唯一能夠在整個UHF頻段以傑出線性性能和穩定性能提供300W功率的解決方案 |
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NXP推出首款真正300W超高頻電晶體 (2007.06.04)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors，前身為飛利浦半導體）推出全球首款真正300W超高頻（UHF）電晶體，即第六代高電壓LDMOS電晶體BLF878。此款新的高功率電晶體針對電視發射器及廣播市場所設計，是市場上唯一能夠在整個UHF頻段以傑出線性性能和穩定性能提供300W功率的解決方案 |
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品佳集團推廣NXP高效能超低雜訊微波電晶體 (2007.05.09)
品佳集團近期積極推廣NXP高效能超低雜訊的微波電晶體，高頻應用（20GHz以下）的NPN微波電晶體BFU725F可提供極佳的高切換頻率、高增益和低雜訊等組合性能。藉由其超低的雜訊係數，適用於敏感度高的RF module及High performance mobile phones；此外，其高切換頻率的特色可用作10GHz～30GHz 之微波應用如衛星電視接收器及汽車防撞雷達的解決方案 |
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品佳集團推廣NXP高效能超低雜訊微波電晶體 (2007.05.09)
品佳集團近期積極推廣NXP高效能超低雜訊的微波電晶體，高頻應用（20GHz以下）的NPN微波電晶體BFU725F可提供極佳的高切換頻率、高增益和低雜訊等組合性能。藉由其超低的雜訊係數，適用於敏感度高的RF module及High performance mobile phones；此外，其高切換頻率的特色可用作10GHz～30GHz 之微波應用如衛星電視接收器及汽車防撞雷達的解決方案 |
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Fairchild數位電晶體讓可攜式設備具性能/空間優勢 (2007.04.12)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出兩種全新200mW數位電晶體系列，它們將一個外接電阻偏置網路整合進目前市場上最小的封裝中。FJY30xx（NPN）和FJY40xx（PNP）系列是專為開關、反相器、介面及驅動電路所量身定做的，且不需要外接電阻 |
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Fairchild數位電晶體讓可攜式設備具性能/空間優勢 (2007.04.12)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出兩種全新200mW數位電晶體系列，它們將一個外接電阻偏置網路整合進目前市場上最小的封裝中。FJY30xx（NPN）和FJY40xx（PNP）系列是專為開關、反相器、介面及驅動電路所量身定做的，且不需要外接電阻 |
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恩智浦半導體新一代雙極電晶體提升能源效率 (2007.03.21)
恩智浦半導體（前身為飛利浦半導體）發佈最新一代低VCEsat電晶體，與普通電晶體相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（Breakthrough in Small Signal）電晶體具有超低飽和電壓（1安培時低於60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，並有效減少可擕式電池供電產品（如筆記型電腦、PDA和數位相機）的熱能產生 |
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恩智浦半導體新一代雙極電晶體提升能源效率 (2007.03.21)
恩智浦半導體（前身為飛利浦半導體）發佈最新一代低VCEsat電晶體，與普通電晶體相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（Breakthrough in Small Signal）電晶體具有超低飽和電壓（1安培時低於60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，並有效減少可擕式電池供電產品（如筆記型電腦、PDA和數位相機）的熱能產生 |
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ST射極開關雙極電晶體為電源供給應用設新標準 (2005.10.18)
功率電晶體市場技術領導者ST，發佈一系列混合式射極開關雙極電晶體（EBST），特別適合工業照明應用中之功率因數預調節的工業用三相輔助電源供應器與單端初級電感轉換器（SEPIC）等應用 |
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ST射極開關雙極電晶體為電源供給應用設新標準 (2005.10.18)
功率電晶體市場技術領導者ST，發佈一系列混合式射極開關雙極電晶體（EBST），特別適合工業照明應用中之功率因數預調節的工業用三相輔助電源供應器與單端初級電感轉換器（SEPIC）等應用 |
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ST射極開關雙極電晶體為電源供給應用設新標準 (2005.10.18)
功率電晶體市場技術領導者ST，發佈一系列混合式射極開關雙極電晶體（EBST），特別適合工業照明應用中之功率因數預調節的工業用三相輔助電源供應器與單端初級電感轉換器（SEPIC）等應用 |
