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宜普300 V氮化鎵功率電晶體因應高頻應用需求 (2014.10.03)
宜普公司為功率系統設計師提供一種上升時間為2奈秒(ns)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。
宜普電源(EPC)推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度 |
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宜普300 V氮化鎵功率電晶體因應高頻應用需求 (2014.10.03)
宜普公司為功率系統設計師提供一種上升時間為2奈秒(ns)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。
(圖一)
宜普電源(EPC)推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度 |
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從電動車到智慧車 英飛凌打通車電任督二脈 (2011.04.07)
全球汽車電子和類比電源晶片大廠英飛凌（Infineon）在出售旗下無線通訊事業群之後，已經完成另一波新型態的組織再造作業。展望未來成長可期的汽車電子領域，英飛凌除了繼續穩建地累積關鍵元件的技術優勢之外，同時也積極開創多層面的新商機 |
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從電動車到智慧車 英飛凌打通車電任督二脈 (2011.04.07)
全球汽車電子和類比電源晶片大廠英飛凌（Infineon）在出售旗下無線通訊事業群之後，已經完成另一波新型態的組織再造作業。展望未來成長可期的汽車電子領域，英飛凌除了繼續穩建地累積關鍵元件的技術優勢之外，同時也積極開創多層面的新商機 |
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NXP發佈120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻電晶體 (2010.10.06)
恩智浦半導體（NXP）近日宣佈，推出廣播發射器和工業用的600W LDMOS超高頻（UHF）射頻功率電晶體BLF888A，其支援470至860MHz的完整超高頻DVB-T訊號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上 |
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NXP發佈120W DVB-T輸出功率LDMOS超高頻電晶體 (2010.10.06)
恩智浦半導體（NXP）近日宣佈，推出廣播發射器和工業用的600W LDMOS超高頻（UHF）射頻功率電晶體BLF888A，其支援470至860MHz的完整超高頻DVB-T訊號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上 |
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瑞薩以1/2封裝尺寸實現最高75安培電流 (2010.09.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出七款採用HSON封裝之功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），適用於汽車電子控制單元，例如引擎管理及電子幫浦馬達控制等應用。
新產品包括額定電壓40V及60V的N Channel MOSFET，及額定電壓–30V的P Channel MOSFET，可應用於各類螺線管、馬達開關，或電池正負極逆向保護 |
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瑞薩以1/2封裝尺寸實現最高75安培電流 (2010.09.08)
瑞薩電子近日宣佈，推出七款採用HSON封裝之功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），適用於汽車電子控制單元，例如引擎管理及電子幫浦馬達控制等應用。
(圖一)七款採用8-Pin HSON封裝之功率MOSFET
新產品包括額定電壓40V及60V的N Channel MOSFET |
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CISSOID引入新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 (2010.03.01)
高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A |
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CISSOID引入新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管 (2010.03.01)
高溫半導體解決方案的CISSOID，引進VENUS的新系列高溫30V的P通道功率MOSFET晶體管，其保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率MOSFETs的VENUS系列命名為CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A、4A及8A |
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ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要 |
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ON擴充功率開關產品陣容推出高壓MOSFET系列 (2010.02.23)
安森美半導體（ON）於昨日（2/22）宣佈，推出包括500 V和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體系列。這些新方案的設計適合功率因數校正和脈衝寬調變段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要 |
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ST推出低損耗1200V IGBT產品系列 (2009.10.16)
意法半導體（ST）推出新系列功率電晶體，可最大限度降低馬達控制電路的兩大能耗來源，減輕家電、HVAC系統以及工業機器等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款低導通損耗的絕緣柵雙極電晶體（IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor），可降低開關損耗 |
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ST推出低損耗1200V IGBT產品系列 (2009.10.16)
意法半導體（ST）推出新系列功率電晶體，可最大限度降低馬達控制電路的兩大能耗來源，減輕家電、HVAC系統以及工業機器等日用設備對環境的影響。STGW30N120KD和STGW40N120KD是兩款低導通損耗的絕緣柵雙極電晶體（IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor），可降低開關損耗 |
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Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用 |
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Diodes推出新型雙MOSFET組合式元件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用 |
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英飛凌推出新型高功率LDMOS電晶體系列產品 (2009.06.18)
英飛凌科技於在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會(International Microwave Symposium)上宣佈推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品。新型電晶體的功率位準高達300W，視訊頻寬超過90 MHz，完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高資料傳輸速率規格 |
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英飛凌推出新型高功率LDMOS電晶體系列產品 (2009.06.18)
英飛凌科技於在美國波士頓所舉辦的IEEE MTT-S國際微波技術研討會(International Microwave Symposium)上宣佈推出可供設計寬頻無線網路基地台的高功率LDMOS電晶體系列產品。新型電晶體的功率位準高達300W，視訊頻寬超過90 MHz，完全支援由3G發展為4G無線網路所需的高峰值對均值功率比(peak to average power ratio)以及高資料傳輸速率規格 |
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英飛凌發表搭載整合式分流器的MIPAQ base模組 (2009.06.16)
英飛凌科技日前於上海舉辦的PCIM China展覽會暨研討會上宣佈絕緣閘雙極性電晶體(IGBT) MIPAQ base模組之量產。 MIPAQ（整合電源、應用及品質的模組）base模組，整合IGBT六單元(six-pack)組態及電流感應分流器，非常適用於高達55 kW之工業驅動裝置和伺服機的低感應系統設計 |
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英飛凌發表搭載整合式分流器的MIPAQ base模組 (2009.06.16)
英飛凌科技日前於上海舉辦的PCIM China展覽會暨研討會上宣佈絕緣閘雙極性電晶體(IGBT) MIPAQ base模組之量產。 MIPAQ（整合電源、應用及品質的模組）base模組，整合IGBT六單元(six-pack)組態及電流感應分流器，非常適用於高達55 kW之工業驅動裝置和伺服機的低感應系統設計 |
