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ST推出創新的高壓電晶體技術 (2009.05.14)
意法半導體推出全新功率MOSFET系列產品，結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性，以及更低的電能耗損率，相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用 |
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ST推出創新的高壓電晶體技術 (2009.05.14)
意法半導體推出全新功率MOSFET系列產品，結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性，以及更低的電能耗損率，相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用 |
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NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其RF Power 電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率 |
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NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其RF Power 電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率 |
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安森美推出新微型封裝的晶體和二極體 (2008.08.13)
安森美半導體(ON)擴充離散元件封裝系列，推出新微型封裝的電晶體和二極體。新的封裝技術能配合今日空間受限的可攜式裝置的嚴峻設計需求。
安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說：「對我們的可攜式產品客戶來說，小尺寸、低高度且同時具備功率密度都是設計流程中相當關鍵的參數 |
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安森美推出新微型封裝的晶體和二極體 (2008.08.13)
安森美半導體(ON)擴充離散元件封裝系列，推出新微型封裝的電晶體和二極體。新的封裝技術能配合今日空間受限的可攜式裝置的嚴峻設計需求。
(圖一)安森美推出新微型封裝的晶體和二極體
安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說：「對我們的可攜式產品客戶來說 |
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Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導，Sony日前表示，由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長，因此該公司將投資3.72億美元的經費，擴增鋰電池的生產設備，以提高鋰電池的生產能力 |
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Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導，Sony日前表示，由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長，因此該公司將投資3.72億美元的經費，擴增鋰電池的生產設備，以提高鋰電池的生產能力 |
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英飛凌推出新款無線基礎設施專用射頻功率晶體 (2008.06.30)
英飛凌科技(Infineon)宣佈推出新款 700 MHz 頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入 4G（第四代）行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務，包括下一代的無線網路標準-LTE（長期演進技術） |
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英飛凌推出新款無線基礎設施專用射頻功率晶體 (2008.06.30)
英飛凌科技(Infineon)宣佈推出新款 700 MHz 頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入 4G（第四代）行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務，包括下一代的無線網路標準-LTE（長期演進技術） |
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英飛凌推出700 MHz頻段射頻功率晶體系列 (2008.06.27)
英飛凌科技 (Infineon)宣佈推出新款700 MHz頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入4G（第四代）行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務，包括下一代的無線網路標準-LTE（長期演進技術） |
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英飛凌推出700 MHz頻段射頻功率晶體系列 (2008.06.27)
英飛凌科技 (Infineon)宣佈推出新款700 MHz頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入4G（第四代）行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務，包括下一代的無線網路標準-LTE（長期演進技術） |
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Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。
(圖一)Vishay推出採用具1.2mm×1.0mm業界最小占位面積的MICRO FOOT晶片級封裝的新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET |
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Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，該器件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有業界最小占位面積以及1.2 V時業界最低的導通電阻。
憑借1.2mm×1.0mm的超小占位面積，Si8445DB比業界大小僅次於它的器件小20%，同時具有0.59mm的相同超薄濃度 |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。
(圖一)Vishay新型Siliconix功率MOSFET為內業首款採用此封裝類型的12V器件，及就額定電壓及封裝尺寸而言，是具有業內最低導通電阻的MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。
新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件 |
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安森美擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列，推出四款新元件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。這些新的功率門驅動器針對中低功率應用，適用於終端產品包括白家電、照明電子整流器和馬達控制等工業應用 |
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安森美擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列，推出四款新元件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。這些新的功率門驅動器針對中低功率應用，適用於終端產品包括白家電、照明電子整流器和馬達控制等工業應用 |
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Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現快速輕鬆的替代，以滿足無鉛(Pb)焊接要求 |
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Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現快速輕鬆的替代，以滿足無鉛(Pb)焊接要求 |
