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宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 (2014.12.09)
為了協助功率系統設計增加效率與功率密度，宜普電源轉換公司（EPC）推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積?少50% |
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大聯大友尚推出德州儀器全整合型Thunderbolt DC/DC電源解決方案 (2014.12.09)
大聯大控股旗下友尚將推出德州儀器（TI）首款針對匯流排供電 Thunderbolt 應用的全面整合電源解決方案。此次推出的TPS65980 DC/DC開關穩壓器是經TI認證的Thunderbolt單埠外設參考設計的核心元件，不僅可簡化電源鏈，而且還可加速硬碟驅動器、固態驅動器，以及影音解決方案等匯流排供電應用的設計 |
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大聯大友尚推出德州儀器全整合型Thunderbolt DC/DC電源解決方案 (2014.12.09)
大聯大控股旗下友尚將推出德州儀器（TI）首款針對匯流排供電 Thunderbolt 應用的全面整合電源解決方案。此次推出的TPS65980 DC/DC開關穩壓器是經TI認證的Thunderbolt單埠外設參考設計的核心元件，不僅可簡化電源鏈，而且還可加速硬碟驅動器、固態驅動器，以及影音解決方案等匯流排供電應用的設計 |
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Diodes初級側轉換器降低電源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出離線式初級側開關控制器AP3988，旨在為充電器、ADSL轉接器和家電電源降低成本，以及提升電源效能。新元件提供初級側控制，不需光耦合器和二次側控制電路，從而減少元件數量，以及節省電路板空間和成本 |
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Diodes初級側轉換器降低電源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出離線式初級側開關控制器AP3988，旨在為充電器、ADSL轉接器和家電電源降低成本，以及提升電源效能。新元件提供初級側控制，不需光耦合器和二次側控制電路，從而減少元件數量，以及節省電路板空間和成本 |
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美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務
美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標 |
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美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務
美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標 |
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IR推出電池保護應用MOSFET系列 (2014.12.02)
國際整流器公司 (International Rectifier；IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件，包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET備有極低的導通電阻，藉以大幅減少導通損耗，提供20V和30V N通道及P通道組態元件 |
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IR推出電池保護應用MOSFET系列 (2014.12.02)
國際整流器公司 (International Rectifier；IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件，包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。
(圖一)
全新功率MOSFET備有極低的導通電阻，藉以大幅減少導通損耗，提供20V和30V N通道及P通道組態元件 |
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意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項 |
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意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項 |
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英飛凌推出獨立IGBT TO-247 4 Kelvin-Sense封裝新版本 (2014.11.12)
英飛凌科技（Infineon）的IGBT產品陣容的TO-247封裝推出新版本。全新TO-247 4 Kelvin-Sense封裝滿足了更高功率密度、高效率與體積精簡的需求。創新的TO-247 4封裝搭配英飛凌TRENCHSTOP 5 IGBT與Rapid 二極體技術，提供了卓越效率 |
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英飛凌推出獨立IGBT TO-247 4 Kelvin-Sense封裝新版本 (2014.11.12)
英飛凌科技（Infineon）的IGBT產品陣容的TO-247封裝推出新版本。全新TO-247 4 Kelvin-Sense封裝滿足了更高功率密度、高效率與體積精簡的需求。創新的TO-247 4封裝搭配英飛凌TRENCHSTOP 5 IGBT與Rapid 二極體技術，提供了卓越效率 |
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意法半導體RF電晶體高電壓新技術 實現高可靠度E級工業電源 (2014.11.05)
意法半導體600W－250V 的13.6MHz RF功率電晶體STAC250V2-500E擁有先進的穩定性和高功率密度。採用熱效率（thermally efficient）極高的微型封裝，可用於高輸出功率的Ｅ級工業電源 |
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意法半導體RF電晶體高電壓新技術 實現高可靠度E級工業電源 (2014.11.05)
意法半導體600W－250V 的13.6MHz RF功率電晶體STAC250V2-500E擁有先進的穩定性和高功率密度。採用熱效率（thermally efficient）極高的微型封裝，可用於高輸出功率的Ｅ級工業電源 |
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鰭式場效電晶體積體電路設計與測試 (2014.11.03)
鰭式場效電晶體的出現對積體電路物理設計及可測性設計流程具有重大影響。鰭式場效電晶體的引進意味著在積體電路設計製程中互補金屬氧化物（CMOS）電晶體必須被建模成三維（3D）的元件，這包含了各種複雜性和不確定性 |
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IR擴充超高速溝道IGBT系列 (2014.10.22)
因應多樣化系統應用的需求，國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx元件，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體（IGBT）系列。新產品旨在為多種快速開關應用作出優化，包括太陽能逆變器、焊接設備、工業用馬達、感應加熱及不斷電供應系統 |
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IR擴充超高速溝道IGBT系列 (2014.10.22)
因應多樣化系統應用的需求，國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx元件，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體（IGBT）系列。新產品旨在為多種快速開關應用作出優化，包括太陽能逆變器、焊接設備、工業用馬達、感應加熱及不斷電供應系統 |
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Diodes達靈頓陣列能驅動大電感負載 (2014.10.17)
Diodes公司推出高效能低成本的達靈頓（Darlington）陣列ULN2000系列。該系列符合業界標準，結合7款開路電極達靈頓電晶體，每款都能以額定50V輸出提供高達500mA的輸出電流。
(圖一)
全新的達靈頓陣列備有箝位二極體，可直接驅動多種電感負載，包括家電及工業產品的繼電器和步進馬達 |
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Diodes達靈頓陣列能驅動大電感負載 (2014.10.17)
Diodes公司推出高效能低成本的達靈頓（Darlington）陣列ULN2000系列。該系列符合業界標準，結合7款開路電極達靈頓電晶體，每款都能以額定50V輸出提供高達500mA的輸出電流。
全新的達靈頓陣列備有箝位二極體，可直接驅動多種電感負載，包括家電及工業產品的繼電器和步進馬達 |
