當其他競爭者正在把控制器產品線往8位元和32位元移動集中之際，瑞薩（Renesas）電子則持續堅持提供完整涵蓋8、16和32位元微控制器的產品線，針對16位元低功耗微控制器，瑞薩也有進一步的發展策略。

瑞薩電子MCU事業本部統括部長川下智惠（Norishige Kawashimo）。 BigPic:375x500

瑞薩電子MCU事業本部統括部長川下智惠（Norishige Kawashimo）表示，目前瑞薩依舊同時具有R8C、78K、RX、SuperH、V850等5種CPU架構的MCU產品線，其中R8C和78K核心針對低功耗市場應用，RX架構則是針對中階MCU產品，而SuperH和V850核心則是鎖定高階MCU應用。儘管V850和78K這2款CPU核心先前屬於NEC電子，在瑞薩與NEC合併、同時進一步提昇MCU製程環境整合度的努力下，瑞薩可針對這5種不同CPU內嵌Flash記憶體的架構，提供相適應最佳化的製程技術。

以R8C和78K架構為核心的16位元低功耗MCU為例，以前瑞薩的R8C架構是採用150奈米製程，藉由與NEC電子的合併效益，現在瑞薩可透過整合78K核心，將低功耗MCU內嵌Flash記憶體的製程技術，提升到130奈米階段，並且得以兼顧高效能和低功耗的設計。這款名為RL78整合核心的新世代16位元MCU架構，也能進一步涵蓋8位元MCU市場。藉由整合低功耗核心MCU平台的出現，瑞薩也將從2011年開始陸續推出相關8～16位元的低功耗MCU產品。

川下智惠進一步指出，相較於以往採用150奈米製程的R8C架構，採用130奈米製程的新世代RL78整合核心MCU產品，就明顯減少50％的尺寸和功耗，在在啟用即時時鐘（RTC）及低電壓偵測（LVD）的條件下，作業狀態只需要70μA/MHz的電流量，待機時間也只有0.7μA的電流量。

整體來看，在與NEC電子合併之後，瑞薩電子在MCU整合Flash記憶體的製程技術上，有了更為精簡的策略規劃。目前針對RX、SuperH和V850等高效能CPU核心的MCU產品，瑞薩將從90奈米過渡到40奈米製程，預計40奈米製程的高效能MCU樣品將在2012年公佈。至於整合R8C和78K的RL78核心低功耗MCU系列，便以130奈米製程為主。藉由建立新的fab network，瑞薩要進一步有效降低生產成本，並強化因應市場持續變化的需求與趨勢的能力。