傳統功率放大器（PA）均是以砷化鎵（GaAs）製作為主，CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS製程終於堂而皇之跨入功率放大器的領域之中，並陸續有相關廠商發表最新產品。專為無線應用提供功率放大器技術的無晶圓半導體公司Black Sand也發表了最新的3G CMOS RF功率放大器產品線，預計將可大幅提高行動電話、平板電腦和數據卡的可靠性和資料傳輸率。兩條產品線共包含六款涵蓋多個頻段的獨特功率放大器。

Jim Nohrden表示，砷化鎵功率放大器長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。透過CMOS製程，客戶能迅速獲得其所需要的PA技術。

Black Sand行銷副總裁Jim Nohrden表示，行動裝置製造商正在尋找一項可替代砷化鎵功率放大器的技術，因該技術長久以來具有供應短缺和更高成本結構的問題。透過CMOS製程，BST34和BST35產品讓客戶能迅速獲得其所需要的PA技術，以進行超高量能製造。

Jim Nohrden說，該公司擁有大於現有GaAs功率放大器供應商之結合的策略性供應基礎，隨著市場持續採用3G行動裝置，這項優勢將被證明是至關重要的，因為其 PA 數量是 2G 手機的2至3倍。我們的產品將為客戶帶來更高效能，並於2011年提供更可靠的供應來源。

Black Sand首款3G CMOS功率放大器產品中，BST34系列之功率放大器是專門設計來取代現有3G砷化鎵（GaAs）RF功率放大器的簡易方案，因此功能與腳位與其完全相容。從砷化鎵轉移至CMOS可使行動裝置製造商獲益於更可靠的供應鏈、更高可靠性及更低成本。

至於BST35系列則具備TruePower高效能功率檢測器，可提高總輻射功率（TRP）效能達2dB，並可在實際工作環境中降低掉話率，及提高數據傳輸速率。BST3501是第一款將此功能帶入RF前端的晶片。該元件的效能指標可在輸出功率、線性度、效率和雜訊上達到、甚至超越砷化鎵功率放大器IC。